10 октября 2000 года российский ученый Жорес Иванович Алфёров стал лауреатом Нобелевской премии по физике

Будущий нобелевский лауреат родился 15 марта 1930 года в Витебске Белорусской ССР. Жорес, названный родителями в честь великого французского борца за мир Жана Жореса, с отличием окончил школу и поступил в Белорусский политехнический институт. После обучения на факультете энергетики, молодой ученый был зачислен без экзаменов в Ленинградский электро-технический институт, после которой устроился в Физико-технический институт имени Иоффе.

Научная деятельность Жореса Ивановича началась в области полупроводников — Алферов был разработчиком первых советских транзисторов. Следующим важным открытием стал гетеролазер, основанный на исследованиях гетеропереходов, который был разработан совместно с Рудольфом Казариновым. За это выдающееся изобретение, ставшее основой для современных компакт-дисков и оптико-волоконной связи, Жоресу Алферову была присвоена степень доктора физико-математических наук в 1970 году, а также медаль Стюарта Баллантайна (США). В последующие годы видный советский исследователь полупроводников занимался исследованием свойств нано-структур. 10 октября 2000 года Жорес Иванович Алферов был удостоен Нобелевской премии по физике за выдающиеся исследования полупроводников, ставшие основой для современных IT-технологий.

Занимаясь наукой, ученый также вел активную политическую деятельность. Алферов со времен Перестройки выступал против губительных для образования и науки реформ, будучи народным депутатом, а позже депутатом Государственной Думы. В 1999 году он был избран депутатом от Коммунистической партии Российской Федерации. Следуя программным документам КПРФ, Алферов активно боролся с деградацией высшей школы и Академии наук, выступал против людоедских реформ, в том числе пенсионной.

Великого ученого не стало 1 марта 2019 года.